В РФ создали установку для производства кристаллов нитрида галлия

В Российской Федерации создали первую отечественную установку для получения кристаллов нитрида галлия (GaN). Такой проект стал возможным благодаря сотрудничеству специалистов группы компаний (ГК) «Элемент», научно-технического центра РАН в Санкт-Петербурге и предприятия «Софт-Импакт».


Разработка оборудования для производства кристаллов несет в себе значение не только для российской микроэлектроники, но и мировой, поскольку нитрид галлия необходим для создания высокочастотной и силовой электроники. Устройства, созданные на такой основе, отличает высокая производительность, скорость и эффективность работы.

При непрерывном функционировании такое оборудование способно выпускать до двух тысяч пластин в год Серийное производство установок планируется начать уже в следующем календарном году.

Нитрид галлия применяют в самых передовых и технологичных областях, среди которых можно отметить:

– зарядные устройства для электроники и бытовой техники (ноутбуки, смартфоны, bluetooth колонки заряжаются гораздо быстрее, если производитель использует в них компоненты на основе нитрида галлия);

– промышленные зарядные устройства для производственного оборудования (сюда входят электромобили, беспилотные летательные аппараты, станки, сельскохозяйственная техника на основе искусственного интеллекта);

– управляющая электроника (применяют в квантовых компьютерах, цифровых принтерах, автомобилях).

Среди преимуществ нитрида галлия также можно выделить способность устройств, содержащих этот компонент, функционировать при повышенном напряжении без риска перегрева. Кроме того, благодаря низкому сопротивлению и тепловым потерям, такие элементы являются эффективными преобразователями энергии, что положительно сказывается на скорости работы зарядных устройств.

Директор направления электронного машиностроения ГК «Элемент» Юлия Сухорослова рассказала «Известиям», что на сегодняшний день рынок нитрид-галлиевых компонентов находится еще на стадии формирования, но уже сейчас можно оценить гигантский потенциал этой отрасли. Ее масштабы в будущем могут быть сопоставимы с кремниевой электроникой, которая пока остается основой мирового производства.

Разработка первой отечественной установки для выращивания кристаллов нитрида галлия на подложках из кремния диаметром 200 миллиметров – это значимый этап в развитии российской микроэлектроники. Этот проект не только способствует локализации производства электроники в стране, но и открывает новые перспективы для всей отрасли.

Благодаря высокой мощности, эффективности и скорости работы, такие компоненты станут основой для будущих технологий зарядки и управления энергией.

Сотрудничество ведущих научных и промышленных организаций России подтверждает высокий потенциал отечественной науки и экономики в области разработки и внедрения передовых решений.

Таким образом, подобного рода достижения являются важным вкладом в укрепление позиций России на мировом рынке микроэлектроники и способствуют развитию инновационных технологий в стране.

Напомним, что несколькими днями ранее наши читатели моги ознакомиться с материалом, в котором рассказывалось о том, что в Казани будут производить бензиновые моторы для легкой техники.